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高溫高濕PID測試系統技術參數

  • 發布日期:2021/12/29      瀏覽次數:647
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    本公司研發光伏組件測試系統 PID(ZWPID08)根據 IEC 82/685/NP:System voltage durability test for crystalline silicon modules,基本要求是準備 3 塊組件。其中一塊作為控制組件,組件置于一定 溫度和濕度的環境中,將組件的內部導電體與高壓電源的一個極連在一起,組件外導電體與高壓電源的另 一極連在一起。一塊組件在正偏壓下進行老化,一塊組件在負偏壓下老化

    測試條件如下:

    環境溫度:60℃±2℃;

    環境濕度:85%±5% RH;

    測試時間:96 小時;

    測試電壓:在組件需滿足的正系統電壓下或負系統電壓下。

    技術參數 :

    1 高壓電源(正向)

    電壓:

    ? 測試范圍:0-1500V;

    ? 測試精度:0.5%FS

    ? 分辨率:1V

    電流:

    ? 測試范圍:0-1000uA;

    ? 測試精度:0.5%FS

    2 高壓電源(負向)

    電壓:

    ? 測試范圍:0--1500V

    ? 測試精度:0.5%FS

    ? 分辨率:1V 電流:

    ? 測試范圍:0-1000uA

    ? 測試精度:0.5%FS

    ? 分辨率: 1uA

    ? 分辨率: 1uA




     
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